阿斯麦与台积电计划从6英寸光掩模切换至12英寸，意在重新设计先进半导体制造中一个关键却常常被忽视的环节。
该设计可以控制反射镜体积，但会压缩现有6英寸掩模能够提供的有效曝光视场。12英寸掩模拥有大得多的图形面积，更大的掩模规格可以恢复甚至扩大可用曝光视场，减少拼接需求，实现更多裸片或者更大尺寸裸片的高效曝光。这也正是阿斯麦与台积电要在量产前数年就发起全行业联合计划的原因：没有任何一家光刻机厂商、晶圆厂、掩模工厂或者材料供应商可以独立完成这套新标准。公布的时间规划也体现出这套系统工程的难度：台积电计划自2030年起，将HighNAEUV导入先进工艺大规模生产，初期继续沿用现有的6英寸掩模。
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