三星在HotChips2026大会的演讲《HBM基底芯片：HBM如何借助先进逻辑工艺演进》提出：高带宽内存堆叠下方的基底芯片，即将不再仅仅是信号传输层。
传统HBM基底芯片主要负责把堆叠DRAM颗粒连接到GPU、TPU或其他处理器，并提供测试功能。三星这项关键变革始于HBM4：它的基底芯片采用先进4nm逻辑工艺，而非传统DRAM工艺。由此诞生定制化HBM：产品可以共用标准化DRAM堆叠，同时针对特定处理器或负载，定制基底芯片内部逻辑。三星将这种增强计算能力的形态称为先进HBM。第三阶段：推出zHBM，真正的3D架构。三星估算，消除这部分开销后，HBMI/O功耗可降低约70%。谁掌握基底芯片内部逻辑、接口与集成方案，就有可能主导下一代AI系统的构建方式，决定其扩容的能效水平。
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希望本篇文章《HBM演进新动力：先进逻辑工艺成核心驱动力》能对你有所帮助！
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