9月1日，在台北举行的SEMICONTaiwan2026国际半导体展上，三星公布了新一代HBM及下一代存储架构的详细技术路线图，该技术路线图涵盖HBM5、zHBM及zNAND-O等多项先进技术，显示这家韩国内存巨头在AI基础设施内存市场的长期布局。
HBM5效能比HBM4E提升1倍，采用2nm制程三星提出HBM5的目标是，相比HBM4E，性能提升一倍，每瓦性能提升20%，同时热阻降低20%。近期，三星在HotChips2026大会的AdvanceProgram环节确认，公司正准备出货单引脚速率达16Gbps的HBM4E内存。三星已经在2026年5月底向客户交付了12层样品。借助zHBM，三星的目标是：原始性能达到HBM4E的8倍，每瓦性能达到HBM4E的3倍，同时热阻降低75%至90%。在FMS2026大会上，三星发布了业界首款zHBM概念模型，预计将在2029年之后推出这一全新架构。
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希望本篇文章《三星发布3D架构下一代存储战略：HBM5领衔，zHBM效能跃升8倍》能对你有所帮助！
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