快科技9月5日消息，国内半导体设备龙头北方华创近日在IEEE期刊发表学术论文，宣布在3DDRAM制造工艺上取得重大技术突破。
该公司开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺，有望帮助长鑫存储绕过EUV光刻机封锁，推进3DDRAM自主量产。在西方对华EUV光刻机出口管制持续收紧的背景下，这一技术路线为中国存储芯片产业开辟了一条避开光刻壁垒的新路径。北方华创的方案针对硅与硅锗交替堆叠的64层3DDRAM结构。业界分析认为，长鑫存储若能整合北方华创的国产刻蚀设备与相关工艺，将大幅提升向3DDRAM自主量产演进的可行性。在无需依赖EUV光刻机的前提下，国产存储芯片厂商有望持续提升产品密度与性能。
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希望本篇文章《北方华创实现3D DRAM刻蚀突破，无需EUV亦可制造先进存储》能对你有所帮助！
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